大联大控股文书，其旗来世平推出基于安森好意思（onsemi）NCP5156x芯片的双通说念进攻出手IC评估板有想象。

图示1-大联大世平基于onsemi家具的双通说念进攻出手IC评估板有想象的展示板图

在紧凑尺寸下结束高功率密度，已成为刻下工业电源想象的中枢想象。为结束这一想象，工程师必须计议想象的各个方面。在这种布景下，大联大世平基于onsemi NCP5156x芯片推出双通说念进攻出手IC评估板有想象，旨在通过出色的进攻性能、高效的出手能力以及概况的评估环境，镌汰电源家具的想象周期。

图示2-大联大世平基于onsemi家具的双通说念进攻出手IC评估板有想象的场景诈欺图

伸开剩余74%

NCP5156x系列是onsemi推出的一款进攻式双通说念闸极出手器，具备4.5A/9A的拉电流和灌电流峰值，专为快速开关出手功率MOSFET和SiC想象。NCP5156x系列提供短且匹配的传播延长，独处的5kVRMS里面电流进攻输入到每个输出以及两者之间的里面功能进攻输出出手器，允许责任电压高达1500VDC。另外，此出手用具有极高的生动性，可建树为两个低侧开关、两个高侧开关，或带有可编程死区时间的半桥出手器。通过ENA/DIS引脚，用户不错荒诞地在ENABLE和DISABLE样式平划分种植为高电平或低电平，从而同期启用或禁用两个输出。

除此除外，NCP5156x还提供其他遑急的保护功能，举例闸极出手器和死区（Dead Zone）的独处欠压锁定时间调度功能。

图示3-大联大世平基于onsemi家具的双通说念进攻出手IC评估板有想象的方块图

跟着电力电子技巧的不断发展，业内对此类高性能的进攻出手IC需求将不断增长。将来，大联大世平将络续与onsemi等群众先进的半导体供应商轮廓互助，不断推出更多改换、实用的经管有想象，知足阛阓对高效电源家具的想象需求。

中枢技巧上风：

onsemi NCP5156x出手IC具有以下技巧上风：

想象弹性优（Flexible）可用于双低侧、双高侧或半桥闸极出手； 两个输出出手器均具有独处的UVLO保护； 输出电源电压边界为6.5V至30V，其中出手电压5V、8V用于一般MOSFET、13V和17V用于SiC MOSFET； 4.5A峰值拉电流（Sink）、9A峰值灌电流（Source）输出； 共模瞬态抗扰度CMTI >200V/ns； 传播延长典型值为36ns； 每个通说念有5ns最大延长匹配，5ns最大脉宽失真； 使用者可程式输入逻辑通过ANB的单输入或双输入样式（仅限NCP51561/563）启用或停用样式； 3V至5.0V VDD电源边界，最高30V VCCA/VCCB电源边界； 4.5A和9A拉电流/灌电流出手能力； TTL相容输入； 允许输入电压高达18V，适用于INA、INB、和ANB脚位； 用于死区时间的板载微调电位器程式想象； 用INA、INB和ENA/DIS的3位辩论引脚； 2位辩论，用于ANB引脚； 复旧MOSFET和SiC半桥测试； 持续到外部功率级的MOSFET，输入电压为600VDC- 800VDC（最大可允许900VDC）。

有想象规格：

电源电压：输入侧VDD 3.0V（最小）~ 5.0V（最大）； 电源电压—出手器侧如下可选：

-5V UVLO版块VCCA、VCCB：6.5V（最小）~30V（最大）；

-8V UVLO版块VCCA、VCCB：9.5V（最小）~30V（最大）；

-13V UVLO版块VCCA、VCCB：14.5V（最小）~30V（最大）；

-17V UVLO版块VCCA、VCCB：18.5V（最小）~30V（最大）；

INA、INB和ANB引脚上的逻辑输入电压VIN：0V（最小）~ 18V（最大）； ENA/DIS VEN脚位上的逻辑输入电压：0V（最小）~5.0V（最大）； 操作温度Tj：－40°C（最小）~＋125°C（最大）。

本篇新闻主要起头欢乐大通：

世平基于安森好意思NCP5156x系列双通说念进攻出手IC评估板先容有想象开云滚球官网

发布于：北京市